2020年4月13日,，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功,，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060）,，以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求,。
▲ 長(zhǎng)江存儲(chǔ) X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售高級(jí)副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越,。這既是數(shù)千長(zhǎng)存人汗水的凝聚,，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking® 2.0時(shí)代的到來(lái),，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有決心,，有實(shí)力，有能力開(kāi)創(chuàng)一個(gè)嶄新的商業(yè)生態(tài),，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢(shì),，達(dá)到互利共贏?！?nbsp;Xtacking® 2.0 進(jìn)一步釋放閃存潛能得益于Xtacking® 架構(gòu)對(duì)3D NAND控制電路和存儲(chǔ)單元的優(yōu)化,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層TLC產(chǎn)品在存儲(chǔ)密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn),，上市之后廣受好評(píng),。在長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品中，Xtacking®已全面升級(jí)至2.0,，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫(xiě)性能方面,，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率,，為當(dāng)前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲(chǔ)單元分別采用獨(dú)立的制造工藝,，CMOS電路可選用更先進(jìn)的制程,，同時(shí)在芯片面積沒(méi)有增加的前提下Xtacking®2.0還為3D NAND帶來(lái)更佳的擴(kuò)展性。未來(lái),，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與合作伙伴攜手,，構(gòu)建定制化NAND商業(yè)生態(tài),，共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入,，已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品,，并確立了在存儲(chǔ)行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力。憑借1.6Gb/s高速讀寫(xiě)性能和1.33Tb高容量,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking®架構(gòu)的前瞻性和成熟度,，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實(shí)可行的路徑。龔翊（Grace）強(qiáng)調(diào)：“我們相信,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品將會(huì)為合作伙伴帶來(lái)更大的價(jià)值,，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。其中,，128層QLC 版本將率先應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)SSD,，并逐步進(jìn)入企業(yè)級(jí)服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,，以滿(mǎn)足未來(lái)5G,、AI時(shí)代多元化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求?！?/span>X2-6070充分發(fā)揮QLC技術(shù)特點(diǎn)QLC是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技術(shù)形態(tài),，具有大容量、高密度等特點(diǎn),，適合于讀取密集型應(yīng)用,。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過(guò)3,665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲(chǔ)單元 ,，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4字位（bit）的數(shù)據(jù),，共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”,，一顆長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC芯片相當(dāng)于提供3,665億個(gè)房間,，每個(gè)房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住,，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍,。閃存和SSD領(lǐng)域知名市場(chǎng)研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為：“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì),。隨著主流消費(fèi)類(lèi)SSD容量邁入512GB及以上,，QLC SSD未來(lái)市場(chǎng)增量將非常可觀,?！盙regory同時(shí)表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢(shì)。在企業(yè)級(jí)領(lǐng)域,， QLC SSD將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更低的讀延遲,，使其更適用于AI計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí),，實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用,。在消費(fèi)類(lèi)領(lǐng)域，QLC將率先在大容量U盤(pán),，閃存卡和SSD中普及,。”1.對(duì)比范圍：截至2020年4月13日,，全球已公開(kāi)發(fā)布的3D NAND Flash存儲(chǔ)芯片,。2.長(zhǎng)江存儲(chǔ)、YMTC,，YM圖形徽標(biāo)和Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司或其分子公司在中國(guó)和/或其他國(guó)家/地區(qū)的商標(biāo),。
